18 奈米!
電晶體閘極是電晶體中控制其開關的部件,做法是控制電子在另外兩個部件——源極與汲極——之間的流動。在被稱為「5奈米」世代的晶片中,每個閘極沿著源極到汲極的路徑量測,長度為18至20奈米。一奈米是一公尺的十億分之一。這個世代名稱並不是閘極的實際量測值。
閘極的長度,是電晶體源極與汲極之間的間隙,閘極就架在這個間隙上方。以往,閘極越短,電晶體切換速度就越快。晶片製造商對世代命名方式並無共識。由工程組織IEEE發布的《元件與系統國際發展路線圖》(IRDS)會預測整個產業的典型尺寸。
IRDS列出了自2020年起量產的「5奈米」世代:速度最快的電路,閘極長18奈米;密度最高的電路,閘極長20奈米。相鄰閘極之間相距48奈米。這些電晶體建構在寬7奈米、高50奈米的矽薄鰭片上。這些尺寸沒有一項小到5奈米。
較新的世代閘極更短。IRDS指出,2022年的「3奈米」世代閘極長16至18奈米,2025年的「2奈米」世代則為14奈米。它預期閘極長度會在大約12奈米時停止縮小。
直到1990年代中期,晶片世代的名稱一直就是其閘極長度。晶片金屬導線的間距——量測方式是相鄰兩條導線間距離的一半——當時也大致是同一個數字。後來,晶片製造商開始讓閘極縮小的速度超過其他所有尺寸,卻仍沿用舊有的命名方式。
「130奈米」世代的電晶體,閘極長70奈米。2011年,英特爾在其「22奈米」世代改用鰭狀電晶體時,閘極長度為26奈米。
帕歐羅・加吉尼(Paolo Gargini)在2020年告訴IEEE Spectrum,當時世代編號「已經完全沒有意義」。加吉尼曾主導IRDS前身的預測報告——國際半導體技術路線圖(ITRS)。如今IRDS會為世代名稱加上引號,並提議改以閘極間距與導線間距來命名:例如「5奈米」世代將被稱為G48M36。
研究用電晶體已經擁有遠比這更短的閘極。2016年,一個研究團隊以二硫化鉬製作出電晶體,並用單一根奈米碳管作為閘極,閘極長度僅1奈米。2017年,另一個團隊製作出閘極長5奈米的奈米碳管電晶體,表現優於同尺寸的矽電晶體。研究人員預測,矽電晶體一旦縮小到閘極長度低於5奈米,就會無法正常運作。