18 nanometers!
晶体管栅极是晶体管中控制其开关的部件,它通过控制电子在另外两个部件——源极和漏极——之间的流动来实现这一点。在被称为“5 纳米”世代的芯片中,每个栅极沿源极到漏极的路径测量,长度为 18–20 纳米。纳米是十亿分之一米。这个“5 纳米”的名称并不是栅极的实际尺寸。
栅极的长度,是晶体管源极和漏极之间的间隙,栅极就架在这段间隙之上。从历史上看,栅极越短,晶体管的开关速度就越快。各芯片制造商对世代命名并没有统一的标准。由工程组织 IEEE 发布的《国际器件与系统路线图》(IRDS)对整个行业的典型尺寸做出预测。
IRDS 列出的“5 纳米”世代芯片从 2020 年开始投产,其最快电路中的栅极长 18 纳米,排列最密的电路中栅极长 20 纳米。相邻栅极间距为 48 纳米。这些晶体管建在宽 7 纳米、高 50 纳米的硅质薄鳍上。这些尺寸没有一个小到 5 纳米。
更晚的世代栅极更短。IRDS 给出的数据是:2022 年的“3 纳米”世代栅极长 16–18 纳米,2025 年的“2 纳米”世代栅极长 14 纳米。它预计栅极长度会在大约 12 纳米处停止缩小。
在 20 世纪 90 年代中期以前,芯片一代产品的名称就是其栅极长度。芯片金属布线的间距——即相邻两条导线之间距离的一半——数值也大致相同。后来,芯片制造商开始比其他部分更快地缩小栅极,却仍沿用旧的命名方式。
“130 纳米”这一代的晶体管,栅极长度为 70 纳米。2011 年,英特尔在“22 纳米”这一代转向鳍式晶体管时,栅极长度为 26 纳米。
保罗·加吉尼(Paolo Gargini)在 2020 年对 IEEE Spectrum 表示,那时这个世代编号“已经完全没有意义”。加吉尼曾领导国际半导体技术路线图(ITRS),这是 IRDS 的前身预测项目。如今,IRDS 会给世代名称加上引号,并提议改用栅极间距和导线间距来命名:例如“5 纳米”这一代应称为 G48M36。
研究人员已经制造出栅极短得多的实验性晶体管。2016 年,一个团队用二硫化钼制成了一种晶体管,其栅极长度为 1 纳米,用的是一根碳纳米管作栅极。2017 年,另一个团队制造出栅极长度为 5 纳米的碳纳米管晶体管,其性能优于同等尺寸的硅晶体管。研究人员预计,硅晶体管一旦缩小到栅极长度低于 5 纳米,就无法正常工作。